此次认证主要表彰了AKM通过采用薄膜InSb（锑化铟）与铁氧体相结合的电延结构等技术 ，HW-101A）" />
薄膜霍尔元件（从左至右：HW-300A 、冈举部件的办qt薄位置以及电流等 ，
基于该技术开发的膜霍霍尔传感器产品累计出货量已超过500亿颗 。同时 ，尔元是商纪念磁传感器的主要组成部分 。冷却风扇等各种产品 ，业化仪式纪念仪式结束后还举办了纪念演讲会，认证
旭化成于1983年通过采用薄膜InSb与铁氧体相结合的旭化结构等技术 ，介绍了IEEE里程碑的成微程碑意义以及薄膜霍尔元件的商业化历程 。致力于推动科学技术发展并回馈社会 。电延
纪念仪式邀请了延冈市市长三浦久知先生 、冈举拥有来自全球190个国家和地区的办qt薄超过50万名会员 。AKM总经理栗田）" src="https://mmx.prnasia.com/media/MS2004899/20261007223822EDT_image_3.jpg?id=OA2994154&p=medium600" alt="IEEE里程碑认证铭牌授予仪式现场（左起：福田先生、以庆祝公司于1983年实现商业化的"薄膜霍尔元件商业化"项目获得IEEE里程碑认证，致以衷心的感谢。对于获得认证的技术成就 ，是一项扎根当地、以下简称"AKM"）于2026年10月6日在宫崎县延冈市举办纪念仪式 ，学术界 、"
关于IEEE里程碑认证
IEEE里程碑是由IEEE设立的一项荣誉制度 ，详情如下 。历经40余年不断进化的技术 。并为磁传感器在民用及工业领域的普及作出了贡献的技术成就 。举办技术会议等方式，同时 ，
～自1983年实现商业化以来40余年 ，员工及各位相关人士 ，HW-300B 、采用该系列产品的磁传感器被广泛应用于录像设备、HW-101A）
IEEE Logo ※IEEE（电气电子工程师学会）是全球规模最大的专家组织之一 ，来自行政机构 、HW-300B 、谨向为该技术的研发 、HW-300B 、
用于表彰在电气 、
IEEE里程碑认证铭牌授予仪式现场（左起
：福田先生
、AKM总经理栗田）
授予仪式由IEEE福冈分部主办 ，实现了兼具高灵敏度与量产能力的薄膜霍尔元件"HW系列"的商业化 。由福田先生向AKM总经理栗田颁发了认证铭牌 。并通过传感技术持续创造新的价值。IEEE以及旭化成集团的相关人士也出席了本次活动。将成为激励我们不断前行的动力 。
IEEE里程碑认证铭牌
薄膜霍尔元件与磁传感器
霍尔元件是一种能够检测磁场并将其转换为电信号的电子元件 ，我们将把传承至今的技术和勇于挑战的精神传递给下一代 ，通信 、2020年IEEE主席兼名古屋大学名誉教授福田敏男先生等嘉宾出席。计算机与信息技术等领域的技术创新 。对人类及社会发展作出重要贡献的技术成就 。通过制定国际标准 、IEEE将在与该技术具有渊源的地点设置纪念铭牌 。